（来源：伏白的交易笔记）
一. 驱动逻辑
近日，北京大学团队通过冷冻电子断层扫描技术（cryo-ET），解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为。
这不仅是单一的工艺改进，而是一项颠覆性的方法创新：
（1）传统的光刻胶工艺优化，依赖工程师经验及大量试错实验；
（2）cryo-ET则直接提供机理证据，从而可以精准地调整参数，有利于高性能光刻胶的设计与验证，并缩短迭代周期。
二. 光刻胶概览
光刻胶是一种光敏聚合物，在光刻工艺中作为图形转移介质，通过曝光、显影工艺，将掩模版上的电路图形转移至晶圆表面。
步骤：涂覆（光刻胶涂覆在晶圆表面）→曝光（曝光或未曝光区域溶解）→显影（去除溶解部分，形成图形）→刻蚀（形成电路结构）。
2.1 按显示效果分类
（1）正性胶：显影时曝光区域溶解，形成的图形与掩膜版相同。
（2）负性胶：显影时未曝光区域溶解，形成的图形与掩膜版相反。
2.2 按曝光波长分类
（1）紫外（UV）：G线（436nm）/I线（365nm），用于成熟制程。
（2）深紫外（DUV）：KrF（248nm）用于成熟制程、ArF（193nm）用于先进制程。
（3）极紫外（EUV）：EUV（13.5nm）用于5nm以下先进制程。
2.3 按应用领域
分为PCB、LCD、半导体光刻胶，技术门槛逐渐递增。
三. 光刻胶原材料
3.1 光引发剂（光敏剂）
（1）作用：光刻胶中的光敏成分，吸收光能并引发聚合固化反应，决定了光刻胶感光度、分辨率等关键指标。
（2）主要品种：自由基型（用于G/I线胶）、阳离子型（用于DUV/EUV胶）
（3）海外头部：住友化学、IGM Resins、巴斯夫。
（4）国内头部：久日新材、强力新材、扬帆新材、固润科技。
3.2 树脂
（1）作用：构成胶体骨架，决定其机械强度、附着力与耐刻蚀性
（2）主要品种：酚醛树脂（G/I线）、聚对羟基苯乙烯（KrF）、甲基丙烯酸酯类（ArF）。
（3）海外头部：住友化学、陶氏、东洋合成、三菱化学。
（4）国内头部：圣泉集团、八亿时空、宁波微芯。
3.3 溶剂
（1）作用：溶解树脂和光引发剂，调节粘度，实现光刻胶的均匀涂覆。
（2）主要品种：丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA/PMA）。
（3）海外头部：ADEKA、陶氏化学
（4）国内头部：江苏怡达、百川股份。
3.4 添加剂
（1）作用：优化光刻胶性能。
（2）主要品种：品类繁多，如增塑剂、表面活性剂、稳定剂等。
四. 半导体光刻胶格局
全球半导体光刻胶市场被美日厂商垄断，主要包括：东京应化、JSR、富士胶片、信越化学、住友化学、杜邦。
国内仅有少数几家实现半导体光刻胶量产：彤程新材、南大光电、晶瑞电材、上海新阳、华懋科技。
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